特許
J-GLOBAL ID：200903028074003050
パッケージ構造並びに半導体装置、パッケージ製造方法及び半導体装置製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341182
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150716
出願日： 1998年11月16日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、バンプに発生する応力を緩和してパッケージの実装信頼性を向上できるパッケージ構造並びに半導体装置、パッケージ製造方法及び半導体装置製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 半導体素子1へ樹脂層3を設け、更にバンプ6の周囲の下部あるいはバンプ6下部のみに、樹脂層3よりも低弾性率である低弾性層4を設けたパッケージ構造を有する。
請求項（抜粋）：
ウエハー工程でパッケージに組み立てるチップサイズパッケージのパッケージ構造であって、ウエハー上の電子素子がフェースダウンにて実装基板上に接続される接続面側に形成される配線層に接して形成された少なくとも1つ以上のバンプの略垂下を除く所定周囲であって前記配線層下部の前記接続面上に所定の膜厚で形成された低弾性層と、前記低弾性層の周囲の前記接続面上に所定の膜厚で形成された樹脂層とを備え、前記低弾性層の弾性率を前記樹脂層の弾性率よりも低く設定していることを特徴とするパッケージ構造。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 21/92 602 L
