不揮発性半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207765
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078545
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】誤書き込みが生じないセル構造と動作を有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】拡散層領域における寄生容量Cd及び、チャネル領域の寄生容量Cchに対して、半導体基板もしくはウェルと電荷蓄積層間の寄生容量Cox及び、電荷蓄積層と制御ゲート間の寄生容量Conoが大きくなっていること、また拡散層領域における寄生容量Cdに対して、チャネル領域の寄生容量Cchが大きくなっていること、さらにまた、前記チャネル領域と前記拡散層領域に接する領域の少なくとも一方の不純物濃度が、前記半導体基板もしくはウエルの不純物濃度と比較して同じもしくは薄くなっていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板、もしくは半導体基板上に形成された第一導電型のウエルと、この第一導電型の半導体基板もしくはウェル上に第一の絶縁膜と電荷蓄積層と第二の絶縁膜と制御ゲートとが積層されて形成された積層ゲートと、前記積層ゲートの両端の前記第一導電型の半導体基板もしくはウェル上に形成されソース、ドレインとなる第二導電型の拡散層とからなるメモリセルと、前記第一の絶縁膜下で、かつ前記両端の拡散層に挟まれた前記第一導電型の半導体基板もしくはウェル上に、前記積層ゲートの電位に応じて形成されるチャネル領域と、少なくとも、前記拡散層と前記第一導電型の半導体基板もしくはウェル間における寄生容量、及び前記チャネル領域と前記第一導電型の半導体基板もしくはウェル間の寄生容量のいずれよりも大なる、前記チャネル領域と前記電荷蓄積層間の寄生容量、及び前記電荷蓄積層と前記制御ゲート間の寄生容量と、を具備することを特徴とする不揮発半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-212472
特開昭62-101068
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-244719 出願人：株式会社東芝

前のページに戻る