窒化物半導体素子

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114942
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298310
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】電極間ショートのない信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】同一面側に正負一対の電極104,103が設けられてなる窒化物半導体チップ100がフェースダウンの状態で支持体20にマウントされてなる窒化物半導体素子において、前記支持体には、半導体チップの電極位置と対応する位置に形成された第1の電極21a,21bと、その第1の電極と電気的に接続され、第1の電極よりも面積が大きい第2の電極22a,22bとが形成されており、さらに前記半導体チップの電極は前記第1の電極に直接接続されていることにより、熱圧着のみで電極間を接続できるため信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

同一面側に正負一対の電極が設けられてなる窒化物半導体チップがフェースダウンの状態で支持体にマウントされてなる窒化物半導体素子において、前記支持体の表面には、半導体チップの電極位置と対応する位置に形成された第1の電極と、その第1の電極と電気的に接続され、第1の電極よりも面積が大きい第2の電極とが形成されており、さらに前記半導体チップの電極は前記第1の電極に直接接続されていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 31/02

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 N , H01L 31/02 B

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開昭56-112774
特開昭52-130295
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-022671 出願人：日亜化学工業株式会社

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審査官引用 (16件)

特開昭56-112774
特開昭56-112774
特開昭52-130295

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