半導体レーザ、半導体レーザの駆動方法および波長変換素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-389698
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150625
出願日： 2003年11月19日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】通常の製造方法下で安定でかつ高い発振周波数のセルフパルセーション動作を実現できる半導体レーザ、半導体レーザの駆動方法および波長変換素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザでは、前方DFB領域101の回折格子5が一部に位相シフト部分を有し、前方DFB領域101と後方DFB領域103との各々に電流を注入することによって生じる前方DFB領域101のストップバンド内のレーザ発振波長と前方DFB領域101のストップバンド端部のレーザ発振波長との両方が、後方DFB領域103により生じるストップバンド内の高反射率部に位置するように、後方DFB領域103の回折格子5が調整されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1導電型クラッド層と、前記第1導電型クラッド層に形成された光導波層と、前記光導波層を一部に含みレーザ光出射方向に対して前方に位置し前記光導波層面に近接した回折格子を具備する前方DFB領域と、前記光導波層を一部に含み前記レーザ光出射方向に対して後方に位置し前記光導波層面に近接した回折格子を具備し、前記前方DFB領域とは電気的に分離された後方DFBあるいはDBR領域と、前記回折格子を埋め込むように形成された第2導電型クラッド層と、を備え、前記前方DFB領域の回折格子が一部に位相シフト部分を有し、前記前方DFB領域と前記後方DFBあるいはDBR領域との各々に電流を注入することによって生じる前記前方DFB領域のストップバンド内のレーザ発振波長と前記前方DFB領域の前記ストップバンド端部のレーザ発振波長との両方が、前記後方DFBあるいはDBR領域により生じるストップバンド内の高反射率部に位置するように、前記後方DFBあるいはDBR領域の前記回折格子が調整されていることを特徴とする、半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S5/065 , H01S5/12 , H01S5/40

FI (3件)：

H01S5/065 610 , H01S5/12 , H01S5/40

Fターム (11件)：

5F073AA22 , 5F073AA64 , 5F073AA65 , 5F073AA67 , 5F073AA74 , 5F073AA83 , 5F073AA89 , 5F073AB15 , 5F073BA02 , 5F073CA12 , 5F073EA14

引用特許：

出願人引用 (2件)

米国特許第6215805号
米国特許第6122306号

審査官引用 (7件)

セルフパルセーションマルチセクションレーザー
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-528796 出願人：ハインリッヒ-ヘルツ-インステイテユートフユールナツハリヒテンテヒニークベルリンゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
Qスイッチ半導体レーザ
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-534834 出願人：ハインリッヒ-ヘルツ-インステイテユートフユールナツハリヒテンテヒニークベルリンゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
特開平4-306896

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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