特許
J-GLOBAL ID：200903017267880773

記憶素子及び記憶装置

発明者：
水口 徹也

水口 徹也 について

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荒谷 勝久

荒谷 勝久 について

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河内山 彰

河内山 彰 について

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山田 直美

山田 直美 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-122311
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294745
出願日： 2006年04月26日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：
【課題】熱による記憶素子へのダメージの発生を抑えて、繰り返し動作を安定して行うことを可能にする記憶素子を提供する。【解決手段】2つの電極3,6間に記憶層4が配置され、この記憶層4に接して、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層5が設けられ、記憶層4が、金、銀、イリジウム、ルテニウム、レニウム、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウムから選ばれる少なくとも一種以上の元素即ち貴金属元素を含有する酸化物から成る記憶素子10を構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の電極と第2の電極との間に、記憶層が配置され、 前記記憶層に接して、Cu,Ag,Znから選ばれるいずれかの元素が含まれたイオン源層が設けられ、 前記記憶層が、金、銀、イリジウム、ルテニウム、レニウム、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウムから選ばれる少なくとも一種以上の元素を含有する酸化物から成る ことを特徴とする記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (4件)：
H01L27/10 451 ,  H01L27/10 421 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (8件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
  • 記憶素子及び記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-182775   出願人：ソニー株式会社
  • 記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-022121   出願人：ソニー株式会社

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