特許
J-GLOBAL ID：200903066166789083
記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-022121
公開番号（公開出願番号）：特開2005-216387
出願日： 2004年01月29日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 安定して情報の記録を行うことができ、情報の記録に要する時間を短くすることが可能である記憶装置を提供する。【解決手段】 記憶素子Amnの両端の間に閾値電圧以上の電圧を印加することにより抵抗値が変化する特性を有する記憶素子Amnと、この記憶素子Amnと直列に接続され負荷となる回路素子Tmnとを有して、メモリセルCが構成されており、記憶素子Amnを抵抗値が高い状態から抵抗値が低い状態へ変化させる動作を書き込みと定義したときに、記憶素子Amn及び回路素子Tmnの両端の間に印加された電圧が閾値電圧よりも大きいある電圧値以上であるときに、書き込み後におけるメモリセルCの記憶素子Amn及び回路素子Tmnの合成抵抗値が、印加された電圧の大きさによらず、ほぼ一定値となる特性を有するように記憶装置100を構成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
両端の間に閾値電圧以上の電圧を印加することにより、抵抗値が変化する特性を有する記憶素子と、
前記記憶素子と直列に接続された、負荷となる回路素子とを有して、メモリセルが構成され、
前記記憶素子を抵抗値が高い状態から抵抗値が低い状態へ変化させる動作を、書き込みと定義したとき、
前記記憶素子及び前記回路素子の両端の間に印加された電圧が前記閾値電圧よりも大きいある電圧値以上であるときには、前記書き込み後における前記メモリセルの前記記憶素子及び前記回路素子の合成抵抗値が、前記電圧の大きさによらずほぼ一定値となる特性を有する
ことを特徴とする記憶装置。
IPC (5件)：
G11C13/00
, H01L27/10
, H01L27/105
, H01L43/08
, H01L45/00
G11C13/00 A
, H01L27/10 451
, H01L43/08 Z
, H01L45/00 B
, H01L27/10 447
