特許
J-GLOBAL ID:200903017312532706

液晶表示パネル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-237564
公開番号(公開出願番号):特開平10-082996
出願日: 1996年09月09日
公開日(公表日): 1998年03月31日
要約:
【要約】【課題】 画素開口率が大きく、かつ、量産性の高い液晶表示パネルを提供する。【解決手段】 液晶層と、アレイ基板と、前記液晶層を挟んで前記アレイ基板に対向する基板とを備えてなる液晶表示パネルであって、前記アレイ基板は、透明絶縁性基板と、複数の走査線1と、複数の信号線3と、薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのドレイン電極4に接続された表示画素電極5と、該表示画素電極の一部が絶縁性材料からなる膜を挟んで補助容量電極2に覆われることにより形成される補助容量とからなり、前記表示画素電極の端部が、前記補助容量電極および前記ドレイン電極のうち少なくとも一方の電極で環状に覆われており、前記表示画素電極の端部のうち前記ゲート電極に近接している部分を避けて、前記補助容量電極が形成されることを特徴とする。
請求項(抜粋):
液晶層と、アレイ基板と、前記液晶層を挟んで前記アレイ基板に対向する基板とを備えてなる液晶表示パネルであって、前記アレイ基板は、透明絶縁性基板と、該透明絶縁性基板上に互いに平行に形成されてなる複数の走査線と、該複数の走査線に絶縁性材料からなる膜を挟んで直交する複数の信号線と、前記複数の走査線および前記複数の信号線の交点近傍の走査線の一部をゲート電極とし、かつ前記交点近傍の信号線の一部をソース電極とする薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された表示画素電極と、該表示画素電極の一部が絶縁性材料からなる膜を挟んで補助容量電極に覆われることにより形成される補助容量とからなり、前記表示画素電極が透明電極材料で形成され、かつ、前記ドレイン電極および前記補助容量電極が不透明な材料で形成され、前記表示画素電極の端部が、前記補助容量電極および前記ドレイン電極のうち少なくとも一方の電極で環状に覆われており、前記表示画素電極の端部のうち前記ゲート電極に近接している部分を避けて、前記補助容量電極が形成されてなることを特徴とする液晶表示パネル。
IPC (3件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786
FI (3件):
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/78 616 T
引用特許:
審査官引用 (6件)
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