特許

J-GLOBAL ID：200903017319396131

アクティブマトリクス液晶表示装置及びアクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法

発明者： 柳 基鉉 ,  林 京男 ,  韓 敞旭 ,  キム、ジォン ヒュン ,  アン、ビュン チュル
出願人/特許権者： エルジー電子株式会社
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150494
公開番号（公開出願番号）：特開平10-068971
出願日： 1997年05月23日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 マスクプロセスの回数を低減することができるアクティブマトリクス液晶表示装置を製作するための方法を提供する。【解決手段】 アクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法において、基板110上にゲートバス配線117とゲート電極107を形成し、ゲートバス配線、ゲート電極及び基板の上にゲート絶縁層109を形成し、ゲート絶縁層上に半導体層111を形成し、半導体層上にオーミック接触層112を形成し、オーミック接触層上にソースバス配線115、ソース電極105及びドレイン電極106を形成し、ソース電極、ドレイン電極をエッチングマスクとしてオーミック接触層をエッチングし、ソースバス配線、ドレイン電極、ソース電極及び半導体層上に第1保護層113aを形成し、第1保護層、半導体層及びゲート絶縁層を選択的に除去し、基板の上に第2保護層113bを形成し、ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成するために、第1保護層及び第2保護層を選択的に除去し、コンタクトホールを通してドレイン電極と接触する画素電極を形成する段階を含む。

請求項（抜粋）：

アクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法において、基板上にゲートバス配線とゲート電極を形成し、前記ゲートバス配線、前記ゲート電極及び前記基板の上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成し、前記半導体層上にオーミック接触層を形成し、前記オーミック接触層上にソースバス配線、ソース電極及びドレイン電極を形成し、前記ソース電極、前記ドレイン電極をエッチングマスクとしてオーミック接触層をエッチングし、前記ソースバス配線、前記ドレイン電極、ソース電極及び前記半導体層上に第1保護層を形成し、前記第1保護層、前記半導体層及び前記ゲート絶縁層を選択的に除去し、前記基板の上に第2保護層を形成し、前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを形成するために、前記第1保護層及び第2保護層を選択的に除去し、前記コンタクトホールを通して前記ドレイン電極と接触する画素電極を形成する段階を含むことを特徴とする、アクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343

FI (2件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-033035   出願人：株式会社日立製作所
• アクティブマトリクス液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-087857   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 薄膜トランジスタマトリクス装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-348260   出願人：富士通株式会社
• 薄膜トランジスタ基板及びその製造方法及び陽極酸化装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-265153   出願人：富士通株式会社