特許

J-GLOBAL ID：200903017349539603

集積回路チップ構造及びその製造方法

発明者： ローレンス・エイ・クレヴェンジャー ,  ルイス・エル・シュ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-245862
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102453
出願日： 2000年08月14日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 CVDダイヤモンドを半犠牲層間および層内誘電体として供給することによって、空気またはその他の気体を永久誘電媒体として多層チップに組み込むための構造およびプロセスを提供すること。【解決手段】 CVDダイヤモンドを半犠牲層間および層内誘電体として供給し、その後、等方性酸素エッチングで半犠牲誘電体を少なくとも部分的に除去する。開示の1変形例は、最終的永久CVDダイヤモンド封入材を提供して、気体誘電媒体をチップ内に閉じ込めることを含む。

請求項（抜粋）：

誘電性封入材によってチップ内に閉じ込められた気体誘電媒体を多層の少なくとも1つに含む、多層相互集積回路チップ構造。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/314

FI (2件)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-325051   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 層間絶縁膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225280   出願人：ソニー株式会社
• 半導体デバイスおよび相互接続構造の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-173771   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-230430   出願人：松下電子工業株式会社