特許
J-GLOBAL ID：200903017375302310
半導体基板の切断方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-216679
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044141
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 表面が電気絶縁性の硬質の膜で覆われている半導体基板を、ダイシング等の方法で切断する際に、発生する保護膜のはがれを防止する。【解決手段】 GaAs基板10のチップ周縁部のダイシングエリア20に、2本の平行な溝22,24を、エッチングにより形成する。次に、半導体基板10の表面に、SiO2 膜を表面保護膜26として形成する。このとき、溝上の保護膜と基板表面上の保護膜との境界に、折れ曲がり部28が形成される。ダイシングは、ブレードを使い、2本の溝22,24の中央を切る。このときダイシングラインのエッジで発生する保護膜26への応力は、基板表面と溝部の境界にある折れ曲がり部28に集中し、折れ曲がり部に沿ったクラックが生じる。
請求項（抜粋）：
半導体素子作製時における半導体基板のエッチング工程を利用して、ダイシングエリアに少なくとも1本の溝を形成するステップと、前記形成された溝を含めて、前記半導体基板上に硬質の保護膜を設けるステップと、ダイシングブレードのエッジが前記溝の底部を通るようにして、前記半導体基板を切断するステップとを含み、前記切断時に、前記溝に設けられた保護膜と、前記半導体基板の表面上に設けられた保護膜との境界にある折れ曲がり部においてクラックを生じさせることを特徴とする半導体基板の切断方法。
引用特許：
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