特許

J-GLOBAL ID：200903017386818776

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

発明者： 加藤 久喜 ,  渡辺 大志 ,  小出 典克 ,  浅見 慎也
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276453
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091629
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光強度を向上させること。【解決手段】多重量子井戸(MQW)構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子100において、バリア層151をAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>N (0<X ≦0.18) より形成する。バリア層151のAl組成比X 及び膜厚を調整することにより、発光強度が向上する。

請求項（抜粋）：

バリア層と井戸層とを交互に積層させた多重量子井戸で構成される発光層を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記バリア層がAl<SB>X </SB>Ga<SB>1-X </SB>N (0<X ≦0.18) より形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Fターム (12件)：

5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-180165   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-086083   出願人：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-149842   出願人：シャープ株式会社