特許
J-GLOBAL ID：200903018765596710
3族窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-180165
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012922
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】3族窒化物化合物半導体を用いた発光素子の発光効率の向上。【解決手段】発光層5は、膜厚約50ÅのAl0.05Ga0.95N から成る6層のバリア層51と膜厚約50ÅのIn0.2Ga0.8N から成る5層の井戸層52とが交互に積層された多重量子井戸構造で、全膜厚約0.055 μmである。又、井戸層52には、亜鉛とシリコンが、それぞれ、5 ×1018/cm3の濃度に添加されている。発光層を歪超格子で構成したため発光強度が増加した。
請求項（抜粋）：
発光層に3族窒化物半導体を用いた発光素子において、前記発光層を3族窒化物半導体の歪超格子から成る単一又は多重の量子井戸構造としたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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