特許
J-GLOBAL ID：200903017406699663

半導体装置の製造方法

発明者：
古川 孝治

古川 孝治 について

, 
成田 亨

成田 亨 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-323035
公開番号（公開出願番号）：特開2008-137016
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】半導体パッケージを高速で個片化できる技術を提供する。【解決手段】一括封止体9を吸着ブロックKBCと対向させて基板母体1をステージに載置し、吸着穴KTAから真空吸引し、一括封止体9(基板母体1)を吸着ブロックKBCに吸着する。この状況下において、レーザーLS1を照射および走査し、基板母体1および一括封止体9を切断する。レーザーLS1の照射および走査中には、ステージに設けられた集塵溝SJMによる真空吸引により、切断作業中に発生した基板母体1および一括封止体9の塵を吸引する。【選択図】図20
請求項（抜粋）：
(a)複数の半導体チップを用意する工程、 (b)分割線によって複数のチップ搭載領域に区画された実装基体を用意する工程、 (c)前記複数のチップ搭載領域の各々に前記半導体チップを搭載する工程、 (d)前記実装基体の前記複数のチップ搭載領域および前記複数の半導体チップを樹脂で封止する工程、 (e)前記分割線に沿って第1のレーザーを複数回走査および照射することにより、前記実装基体および前記分割線上の前記樹脂を切断し、複数の半導体装置に個片化する工程、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
B23K 26/38 ,  B23K 26/40 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/14 ,  H01L 23/12
FI (5件)：
B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  B23K26/00 H ,  B23K26/14 A ,  H01L23/12 Z
Fターム (7件)：
4E068AE01 ,  4E068CA04 ,  4E068CG01 ,  4E068CG02 ,  4E068DA11 ,  4E068DB07 ,  4E068DB12
引用特許：
出願人引用 (3件)

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