半導体レーザの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332207
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173278
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】高い基本横モード出力を有する半導体レーザを歩留まり良く製造する。【解決手段】基板上に活性層、内部クラッド層を含む多層の半導体膜を形成し、該半導体膜の上に少なくともエッチングストップ層、外部クラッド層、キャップ層、マスク層をこの順に形成した後、前記外部クラッド層に到達する深さまでドライエッチングを行いメサストライプを形成し、エッチング液により前記外部クラッド層をさらにエッチングする。

請求項（抜粋）：

基板上に活性層、内部クラッド層を含む多層の半導体膜を形成する工程と、該半導体膜の上に少なくともエッチングストップ層、外部クラッド層、キャップ層、マスク層をこの順に形成する工程と、前記外部クラッド層に到達する深さまでドライエッチングを行いメサストライプを形成する工程と、エッチング液により前記外部クラッド層をさらにエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-246646 出願人：富士電機株式会社
特開昭63-037684
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-003913 出願人：シャープ株式会社

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