半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-510745
公開番号（公開出願番号）：特表2007-535812
出願日： 2005年04月06日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：

ある実施形態では、半導体デバイス10は、絶縁領域(34,16及び13)を使用するダイオードと、半導体基板(12)内に注入される寄生電流を制限するように使用されうる複数のドーパント濃度(30,20,24及び26)とを有する。絶縁領域(34,16及び13)の種々のバイアスは、半導体デバイス(10)の振る舞いに影響するように使用されうる。更に、伝導層(28)は、アノード(42)とカソード(40)との間の接合の上に横たわるように形成されうる。この伝導層(28)は、カソード(40)に適用されうる最大電圧を増大させるために選択された領域に電解を低減させる。

請求項（抜粋）：

第1の伝導タイプの基板と、前記第1の伝導タイプのアノードとを有し、該アノードが複数のドーパント濃度を含み、第1の部分のドーパント濃度が、第2の部分のドーパント濃度よりも高いオーダーの大きさであり、第1の部分又は第2の部分のいずれもが、オーミック接触を作るように用いられ、前記第1の伝導タイプとは異なる第2の伝導タイプのカソードとを有し、アノードは、カソードと隣接して配設され、アノード/カソード接合インターフェースを形成し、前記第2の伝導タイプの伝導絶縁機構とを有し、前記伝導絶縁機構が、埋設層と、前記埋設層と電気的に結合する伝導垂直部分と含み、前記埋設層が、気マント、アノード及びカソードの領域との間に配置され、前記伝導垂直部分が、前記アノード及びカソードの領域の側面から前記アノード及びカソードの領域を取り囲み、アノードの頂部と、前記伝導絶縁機構の伝導垂直部分の頂部との間の半導体デバイスの一部の中に配置された誘電絶縁領域と、を有することを特徴とする半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01L 29/861 , H01L 21/329

FI (2件)：

H01L29/91 C , H01L29/91 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-194369
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-281363 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
特開昭52-082081

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