特許
J-GLOBAL ID:200903017447075755

半導体パッケージ、その製造方法、及び、半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-105195
公開番号(公開出願番号):特開2002-299518
出願日: 2001年04月03日
公開日(公表日): 2002年10月11日
要約:
【要約】【課題】 半田接合後の残存フラックスの洗浄除去、そして、アンダーフィルの充填などが必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接合強度、信頼性の高い半田接合を可能とする、硬化性フラックスを用いた半導体パッケージとその製造方法、及び、半導体装置を提供する。【解決手段】 機械的、電気的に接続するための半田ボールが搭載された半導体パッケージにおいて、前記半田ボールの少なくとも半田接合表面に、硬化性フラックスの所定量を転写することで、予め硬化性フラックス樹脂層が形成されてなることを特徴とする半導体パッケージ、及び、該半導体パッケージの半田ボールの少なくとも半田接合表面に形成された硬化性フラックス樹脂層が半田接合時のフラックスとして作用し、半田接合後、更に、加熱されて硬化したフラックス樹脂により補強されてなることを特徴とする半導体装置。
請求項(抜粋):
機械的、電気的に接続するための半田ボールが搭載された半導体パッケージにおいて、前記半田ボールの少なくとも半田接合表面に、硬化性フラックスの所定量を転写することで、予め硬化性フラックス樹脂層が形成されてなることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (2件):
H01L 23/12 501 ,  H01L 21/60 311
FI (2件):
H01L 23/12 501 Z ,  H01L 21/60 311 Q
Fターム (2件):
5F044LL04 ,  5F044QQ01
引用特許:
審査官引用 (2件)

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