膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256556
公開番号（公開出願番号）：特開2003-064305
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】半導体素子などにおける層間絶縁材料として、塗膜のクラック耐性が高い、かつ比誘電率の焼成温度依存性の小さいシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 (A)アルコキシシラン化合物を、水と触媒の存在下で加水分解し縮合してなり、平均慣性半径が10〜30nmの加水分解縮合物少なくとも1種と(B)アルコキシシラン化合物を、水と触媒の存在下で加水分解、縮合してなり、平均慣性半径が前記(A)における加水分解縮合物の平均慣性半径とは3nm以上異なる加水分解縮合物少なくとも1種とを混合することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、水と触媒の存在下で加水分解し縮合してなり、平均慣性半径が10〜30nmの加水分解縮合物少なくとも1種と(B)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、水と触媒の存在下で加水分解、縮合してなり、平均慣性半径が前記(A)における加水分解縮合物の平均慣性半径とは3nm以上異なる加水分解縮合物少なくとも1種とを混合することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕

IPC (5件)：

C09D183/04 , C08G 77/08 , C08L 83/00 , C09D183/02 , C09D183/14

FI (5件)：

C09D183/04 , C08G 77/08 , C08L 83/00 , C09D183/02 , C09D183/14

Fターム (48件)：

4J002CP03W , 4J002CP03X , 4J002CP04W , 4J002CP04X , 4J002CP08W , 4J002CP08X , 4J002CP19W , 4J002CP19X , 4J002GQ01 , 4J035AA01 , 4J035AB03 , 4J035BA01 , 4J035CA022 , 4J035EB03 , 4J035HA02 , 4J035LB20 , 4J038DL021 , 4J038DL041 , 4J038DL071 , 4J038DL161 , 4J038GA01 , 4J038GA07 , 4J038GA12 , 4J038HA176 , 4J038HA336 , 4J038HA376 , 4J038HA411 , 4J038HA471 , 4J038JA09 , 4J038JA36 , 4J038JA38 , 4J038JA48 , 4J038JB03 , 4J038JB04 , 4J038JB09 , 4J038JB11 , 4J038JB26 , 4J038JB28 , 4J038JC13 , 4J038JC38 , 4J038KA04 , 4J038MA10 , 4J038NA11 , 4J038NA21 , 4J038NA25 , 4J038PA19 , 4J038PB09 , 4J038PC08

引用特許：

審査官引用 (6件)

膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-220270 出願人：ジェイエスアール株式会社
膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-220271 出願人：ジェイエスアール株式会社
特許第4697363号

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