特許
J-GLOBAL ID：200903081343428885

膜形成用組成物、膜の形成方法および絶縁膜

発明者：
黒澤 孝彦

黒澤 孝彦 について

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林 英治

林 英治 について

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徐 榮秀

徐 榮秀 について

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塩田 淳

塩田 淳 について

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山田 欣司

山田 欣司 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


代理人 (1件)： 白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-220270
公開番号（公開出願番号）：特開2001-164185
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2001年06月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として有用な、低誘電率、高弾性率の膜が得られるポリオルガノシロキサン系の膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 (A)、下記一般式(1)、(2)、(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種をアルカリ金属触媒の存在下に加水分解し、縮合した縮合物と、(B)下記一般式(1)、(2)、(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種を金属キレート化合物触媒の存在下に加水分解し、縮合した縮合物、とを含有する膜形成組成物。Ra (Si)(OR1 )4-a ............(1)Si(OR2 )4...............(2)R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6c ...(3)(式中Rは水素原子、フッ素原子、又は一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7は酸素原子、フェニレン基又は-(CH2)n-、aは1〜2の整数、b、cは0〜2の数、dは0または1、nは1〜6の整数を示す。)
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物をアルカリ触媒の存在下に加水分解し、縮合した加水分解縮合物、ならびに(B)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を金属キレート化合物触媒の存在下に加水分解し、縮合した加水分解縮合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕
IPC (5件)：
C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (5件)：
C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
Fターム (36件)：
4J038DL021 ,  4J038DL022 ,  4J038DL031 ,  4J038DL032 ,  4J038DL041 ,  4J038DL042 ,  4J038DL161 ,  4J038DL162 ,  4J038GA07 ,  4J038GA12 ,  4J038HA176 ,  4J038HA216 ,  4J038JB01 ,  4J038JB03 ,  4J038JB04 ,  4J038JB09 ,  4J038JB25 ,  4J038JB39 ,  4J038JC38 ,  4J038KA04 ,  4J038LA03 ,  4J038MA07 ,  4J038MA10 ,  4J038MA14 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  4J038PC03 ,  5F058AA10 ,  5F058AB07 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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