特許
J-GLOBAL ID：200903017496966436

不揮発性メモリと不揮発性メモリの書き込み方法

発明者：
坂本 善▲徳▼

坂本 善▲徳▼ について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296023
公開番号（公開出願番号）：特開2002-109891
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 安定的な書き込み動作と、実質的な書き込み時間の短縮化を図りつつ、不良発生率の改善と使い勝手を良くした不揮発性メモリと不揮発性メモリの書き込み方法を提供する。【解決手段】 複数のワード線及び複数のビット線と、上記複数のワード線と複数のビット線との交点に浮遊ゲートに蓄積された電荷量に対応した記憶情報を持つ複数の記憶素子を有し、電気的に上記記憶情報の書き込み動作及び消去動作を行う不揮発性メモリにおいて、上記記憶素子に対して所定の書き込み量での書き込み動作を実施した後にベリファイ動作を行って上記浮遊ゲートに蓄積された電荷量を制御する書き込み制御回路に対して、書き込み開始時に上記所定の書き込み量に対して少ない書き込み量に設定されたサーチ書き込み動作及びそれに対応したベリファイ動作を1ないし複数回行うようにさせる。
請求項（抜粋）：
複数のワード線及び複数のビット線と、上記複数のワード線と複数のビット線との交点に浮遊ゲートに蓄積された電荷量に対応した記憶情報を持つ複数の記憶素子を有し、電気的に上記記憶情報の書き込み動作及び消去動作を行う不揮発性メモリであって、上記記憶素子に対して所定の書き込み量での書き込み動作を実施した後にベリファイ動作を行って上記浮遊ゲートに蓄積された電荷量を制御する書き込み制御回路を備えてなり、上記書き込み制御回路は、書き込み開始時において、上記所定の書き込み量に対して少ない書き込み量に設定されたサーチ書き込み動作及びそれに対応したベリファイ動作を1ないし複数回行うことを特徴とする不揮発性メモリ。
FI (3件)：
G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 641
Fターム (7件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM