特許
J-GLOBAL ID：200903017513776611
半導体可変コンデンサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-007026
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261015
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置内において集積化されている可変コンデンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明によれば、半導体装置内の可変コンデンサが提供され、その容量値は、外部刺激に応答して該コンデンサのプレート間の空間内の誘電体物質の運動によって変化される。このような可変コンデンサの製造方法が提供され、その場合に、コンデンサは積層構成体内に形成され、頂部層はコンデンサプレート間の空間内に延在する誘電体物質部分からなる部分を有している。頂部層を形成した後に、中間層をエッチング除去して頂部層を可撓的なものとさせ、コンデンサプレート間の空間内において該誘電体物質が移動することを容易とさせる。
請求項（抜粋）：
半導体装置の一部として形成されている可変コンデンサにおいて、(a)半導体基板、(b)前記半導体基板によって支持されている絶縁層、(c)前記可変コンデンサの第一プレートを画定する前記絶縁層上に配設されている第一導体、(d)前記絶縁層上に配設されており前記可変コンデンサの第二プレートを画定する第二導体であって、前記第一導体との間にギャップを画定するために前記第一導体から離隔されている第二導体、(e)前記半導体基板によってその周辺部が支持されている可撓性メンブレンであって、誘電体物質を有しており且つ前記可変コンデンサの容量を変化させるために前記第一及び第二導体の間のギャップ内へ延在し且つ移動可能な部分を有する可撓性メンブレン、を有することを特徴とする可変コンデンサ。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01G 7/00
H01L 27/04 P
, H01G 7/00 Z
