集積回路のトレンチ分離製作方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅村皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-149724
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056058
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスのトレンチ分離構造を単純なかつプラズマイオン衝撃によるトレンチエッジへの損傷を回避した処理を通して実現する。【解決手段】シリコン基板102上に積層した研磨阻止層であるパッド酸化物層104、窒化物層106をマスク108を使用してパターン化し、露出した基板102内にエッチングによりトレンチ110を形成する。次いで、誘導結合高密度プラズマエンハンスト堆積により酸化物120を堆積してトレンチ110を充填する。次いで、パッド酸化物層104に達するまで化学的機械的研磨を行うことによって、最終的にトレンチ110内の充填酸化物122を残して、酸化物120を除去する。

請求項（抜粋）：

(a) シリコン基板上に研磨阻止層を形成するステップ、(b) 前記研磨阻止層をパターン化するステップ(c) 前記基板が前記パターン化された阻止層によって露出される所で前記基板内にトレンチを形成するステップ、(d) 前記基板上に絶縁材料を堆積するステップであって、前記絶縁材料が前記トレンチを充填する前記堆積するステップ、及び(e) 前記研磨阻止層まで前記基板を化学的機械的に研磨するステップを含むトレンチ分離製作方法。

引用特許：

出願人引用 (3件)

研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-010146 出願人：ソニー株式会社
特開平3-116753
絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-233679 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-010146 出願人：ソニー株式会社
特開平3-116753
絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-233679 出願人：ソニー株式会社

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