特許
J-GLOBAL ID：200903017565811474

基板処理装置、基板処理装置におけるアーキング発生監視方法、タングステン薄膜作成方法及びタングステン薄膜作成装置

発明者：
小林 正彦

小林 正彦 について

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堀田 和貴

堀田 和貴 について

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浅沼 博文

浅沼 博文 について


出願人/特許権者：
キヤノンアネルバ株式会社

キヤノンアネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-307503
公開番号（公開出願番号）：特開2006-118004
出願日： 2004年10月21日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：
【課題】 シャドーリングのような、基板の周縁に接近させて配置された部材がある場合に発生する異常放電であるアーキングを効果的に防止する。【解決手段】 プロセスチャンバー1内で、基板ホルダー3に保持された基板9に対しスパッタリングによるタングステン膜92の作成が行われる。吸着電源33が吸着電極32に印加する電圧により基板9が誘電体プレート31に静電吸着され、基板9の周縁から所定の距離の領域への薄膜堆積をシャドーシールド62が防止する。誘電体プレート31の表面の一部を覆う導電膜71は、基板9の裏面に接触し、アースから絶縁されているとともに短絡用配線76によりシャドーシールド62に短絡されている。導電膜71の電位が電圧計72により計測され、アーキングの発生を、電圧計72の測定値の急激な変動から判断手段74が判断する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
プロセスチャンバー内で基板に対してプラズマを利用して所定の処理を行う基板処理装置であって、 プロセスチャンバー内の所定位置に基板を保持する基板ホルダーと、 プロセスチャンバー内を排気する排気系と、 プロセスチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入系と、 導入されたガスにエネルギーを与えてガス放電を生じさせてプラズマを形成するプラズマ形成手段とを備えており、 基板ホルダーには、載置された基板を静電吸着する静電吸着機構が設けられており、この静電吸着機構は、基板ホルダーの基板載置面を成すよう設けられた誘電体プレートと、誘電体プレートに誘電分極させるよう基板ホルダーに設けられた吸着電極と、吸着電極に静電吸着用の電圧を印加する吸着電源とを備えており、 基板載置面である誘電体プレートの表面の一部を覆うようにして導電膜が形成されており、この導電膜は基板の裏面に接触するものであってアースから絶縁されており、 さらに、 導電膜の電位を測定する電圧計と、 基板の表面に沿って異常な電流が流れることにより生ずる欠陥であるアーキングの発生を、電圧計の測定値の急激な変動から判断する判断手段と が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/683
FI (4件)：
C23C14/34 J ,  C23C14/50 A ,  C23C16/44 F ,  H01L21/68 R
Fターム (15件)：
4K029CA05 ,  4K029EA09 ,  4K029JA05 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA14 ,  4K030KA32 ,  4K030KA46 ,  5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031HA40 ,  5F031JA01 ,  5F031JA45 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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