特許

J-GLOBAL ID：200903017577434560

半導体装置の製造方法

発明者： 河野 隆宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-016889
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226438
出願日： 1994年02月14日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：

【要約】【目的】 コンタクト孔の配線膜成長のウエット前処理に関し, コンタクト孔の側壁に凹凸の発生を防止し,良好なコンタクト特性を確保する。【構成】 1)下地 1上に異種絶縁膜 2, 3 の複合膜からなる層間絶縁膜を成膜し,層間絶縁膜を開口してコンタクト孔を形成し,層間絶縁膜上に該コンタクト孔を介して下地に接続する配線膜を成膜する前に,異種絶縁膜 2, 3 の各々に対しエッチレートが実質的に等しいエッチャントを用いて該コンタクト孔のウエット前処理を行う,2)異種絶縁膜が高温気相成長法で成膜されたSiO2膜(HTO膜) 2と硼素を含むりん珪酸ガラス膜 (BPSG膜) 3である場合に対し,前記エッチャントとしてNH4F:HF:H2O = 8: 1:(50 〜80) の混液を用いる。3)ウエット前処理をスピンプロセサを用いて行う。

請求項（抜粋）：

下地(1) 上に異種絶縁膜(2),(3)の複合膜からなる層間絶縁膜を成膜し,該層間絶縁膜を開口してコンタクト孔を形成し,該層間絶縁膜上に該コンタクト孔を介して下地に接続する配線膜を成膜する前に,該異種絶縁膜(2),(3)の各々に対しエッチレートが実質的に等しいエッチャントを用いて該コンタクト孔のウエット前処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/308

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-311567   出願人：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-000347   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-246845
  
• 特開平4-306836