特許
J-GLOBAL ID：200903017582689780
酸化亜鉛結晶膜の育成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-246953
公開番号（公開出願番号）：特開2004-084001
出願日： 2002年08月27日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】半導体材料として良好な結晶性と光学的特性を有する酸化亜鉛結晶膜を簡便かつ低コストで育成し得る方法を提供する。【解決手段】例えばサファイアの基板上に酸化亜鉛のバッファ層と酸化亜鉛結晶膜とを有機金属気相堆積法で順次形成する方法において、その酸化亜鉛バッファ層は亜鉛と酸素を含む亜鉛アセチルアセトナートのような有機金属化合物のガスを利用して、酸素を含む他のガスを用いることなく形成される。そして、酸化亜鉛バッファ層上には、亜鉛と酸素を含む有機金属化合物のガスと酸素ガスとの両方を用いて酸化亜鉛結晶膜が育成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に酸化亜鉛のバッファ層と酸化亜鉛結晶膜とを気相成長で順次形成する方法において、前記酸化亜鉛バッファ層は亜鉛と酸素を含む有機金属化合物のガスを利用して酸素を含む他のガスを用いることなく形成されることを特徴とする酸化亜鉛結晶膜の育成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (12件)：
4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA47
, 4K030BB13
, 4K030CA01
, 4K030JA10
, 4K030LA01
, 4K030LA11
, 5F041AA40
, 5F041CA41
, 5F041CA65
, 5F041FF16
