特許
J-GLOBAL ID:200903017584309771
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-243850
公開番号(公開出願番号):特開2008-065114
出願日: 2006年09月08日
公開日(公表日): 2008年03月21日
要約:
【課題】超LSIや高容量マイクロチップの製造などの超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトパブリケーションプロセスに好適に用いられるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法であり、解像力、現像欠陥、アウトガスが改良されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生するスルホニウム塩構造が、酸の作用により分解する連結基によって主鎖に連結されている繰り返し単位を有する樹脂を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により酸を発生するスルホニウム塩構造が、酸の作用により分解する連結基によって主鎖に連結されている繰り返し単位を有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件):
G03F 7/004
, G03F 7/039
, H01L 21/027
FI (3件):
G03F7/004 503A
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (16件):
2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB42
, 2H025FA17
引用特許:
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