特許

J-GLOBAL ID：200903017600539790

窒化物半導体素子の製造方法

発明者： 岡川 広明 ,  嶋 敏彦 ,  平岡 晋
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-135896
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311371
出願日： 2006年05月15日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：

【課題】ドナーを高濃度にドープした窒化物半導体層を、それよりも低いドナー濃度を有する窒化物半導体層の上に成長する際の、異常成長の発生を防止し、それによって、ドナーをドープしたn型コンタクト層を備えた窒化物半導体素子を効率よく製造することのできる方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態では、コンタクト層3を、ドナーを意図的にドープしていない窒化物半導体層2を下地層として、その上に、有機金属化合物気相成長法によって形成するにあたり、まず、該下地層2の上に窒素原料を連続的に供給しつつ3族原料とドナー原料とを交互に供給して、ドナーがドープされた第1の部分31を形成し、続いて、該第1の部分の上に、窒素原料と3族原料とドナー原料とを同時に供給して、ドナーがドープされた第2の部分32を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドナーをドープしたn型窒化物半導体からなるコンタクト層を備えた窒化物半導体素子の製造方法であって、 該コンタクト層を、該コンタクト層よりも低いドナー濃度を有する窒化物半導体層を下地層として、または、低温バッファ層を下地層として、その直上に、有機金属化合物気相成長法によって形成するにあたり、まず、該下地層の上に窒素原料を連続的に供給しつつ3族原料とドナー原料とを交互に供給して、ドナーがドープされた第1の部分を形成し、続いて、該第1の部分の上に、窒素原料と3族原料とドナー原料とを同時に供給して、ドナーがドープされた第2の部分を形成することを特徴とする、窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (21件)：

5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041CB06 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD15 ,  5F045BB04 ,  5F045EE17

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 紫外線発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-080806   出願人：三菱電線工業株式会社
• 窒化ガリウム化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-330311   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 名古屋大学長, 独立行政法人科学技術振興機構