特許

J-GLOBAL ID：200903091664783615

紫外線発光素子

発明者： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎 ,  常川 高志
出願人/特許権者： 三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-080806
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280609
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 発光層の材料をInGaNとした紫外線発光素子の構造を最適化することによって、より高出力で長寿命の紫外線発光素子を提供すること。【解決手段】 結晶基板Sの表面に凹凸1Sを加工し、該凹凸に、GaN系半導体低温バッファ層1を介してまたは直接的に、GaN系結晶層2を気相成長させる。該GaN系結晶層は、前記凹凸の凹部内を実質的に充填しかつ該凹凸を埋め込んで平坦化するまで成長させ、その上に、紫外線を発生し得る組成のInGaN結晶層を発光層として成長させて、紫外線発光素子とする。

請求項（抜粋）：

表面に凹凸が加工された結晶基板上に、GaN系半導体からなる低温バッファ層を介してまたは直接的に、GaN系結晶層が気相成長しており、該GaN系結晶の上に、紫外線を発生し得る組成のInGaN結晶層が成長し発光層となっている半導体発光素子構造を有することを特徴とする紫外線発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (35件)：

5F041AA04 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15 ,  5F045HA03

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体基材及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-335591   出願人：三菱電線工業株式会社
• 窒化ガリウム系半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-292684   出願人：株式会社東芝
• 半導体薄膜と半導体素子と半導体装置とこれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-336307   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置、半導体基板とそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-133844   出願人：松下電子工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-097134   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-062589   出願人：日亜化学工業株式会社