特許
J-GLOBAL ID：200903017604245058
フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-387605
公開番号（公開出願番号）：特開2001-235763
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 製造時間を短縮し、製造費用を節減することができるフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板11上にカウンター電極12aとゲートバスライン13a、共通電極ライン14aを同時形成する段階Aで、第1フォトリソグラフィー工程は、MoW膜13上にレジスト膜コーティングする工程、ゲートバス、共通電極ライン領域を遮蔽し、コーティング厚さを保持する第1、第2パターン、カウンター電極領域を遮蔽し、コーティング厚さの一部のみ残留する第3パターンのレジストパターン32を形成する工程、ゲートバス、共通電極ラインを形成し、第1、第2パターンの一部厚さ除去、第3パターンの完全除去、カウンター電極領域上のMoW膜の一部厚さ除去する工程、カウンター電極形成工程、残留レジストパターンとMoW膜を除去する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上にITO膜とMoW膜を順次蒸着した後、第1フォトリソグラフィー工程を利用して前記MoW膜とITO膜をパターニングし、カウンター電極とゲートバスライン、及び共通電極ラインを同時に形成する段階Aと、前記段階Aにて形成された基板結果物上にゲート絶縁膜を蒸着する段階Bと、前記ゲート絶縁膜の所定部分上に第2フォトリソグラフィー工程を利用して積層されたチャネル層とオミックコンタクト層を形成する段階Cと、前記オミックコンタクト層とゲート絶縁膜上に第3フォトリソグラフィー工程を利用し、ソース/ドレイン電極を含むデータバスラインを形成する段階Dと、前記D段階までに形成された基板結果物上に第4フォトリソグラフィー工程を利用し、前記ソース電極を露出させる保護膜を形成する段階Eと、前記保護膜上に第5フォトリソグラフィー工程を利用し、前記ソース電極とコンタクトされる櫛状の画素電極を形成する段階Fとを含み、前記第1フォトリソグラフィー工程は、前記MoW膜上にレジスト膜をコーティングする第1工程と、前記レジスト膜を露光及び現像し、ゲートバスラインと共通電極ライン形成領域を遮蔽しながらコーティング厚さをそのまま保持する第1及び第2パターンと、カウンター電極形成領域を遮蔽しながらコーティング厚さの一部のみ残留する第3パターンで構成されるレジストパターンを形成する第2工程と、前記レジストパターンをエッチングバリヤに利用し、前記MoW膜を乾式エッチングしてゲートバスラインと共通電極ラインを形成し、同時に前記レジストパターンの第1及び第2パターンは一部厚さのみ除去されるようにし、前記レジストパターンの第3パターンは完全に除去されるようにし、カウンター電極形成領域上のMoW膜の一部厚さが除去されるようにする第3工程と、残留するレジストパターン及びMoW膜をエッチングバリヤに利用し、前記ITO膜を湿式エッチングしてカウンター電極を形成する第4工程と、前記残留するレジストパターンとMoW膜を除去する第5工程とを含むことを特徴とするフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置の製造方法。
IPC (8件)：
G02F 1/1343
, G02F 1/1345
, G02F 1/139
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
, H01L 21/3205
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G02F 1/1343
, G02F 1/1345
, H01L 21/28 D
, H01L 21/28 F
, G02F 1/137 505
, H01L 21/302 J
, H01L 21/88 B
, H01L 29/78 617 J
, H01L 29/78 627 C
