特許

J-GLOBAL ID：200903017609587593

エピタキシャルウエーハ製造方法

発明者： 生田 章雄
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-122039
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327811
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】高周波誘導加熱又は抵抗加熱による間接加熱と複数枚同時処理とを組み合わせたエピタキシャル成長処理で問題となるエピタキシャル膜表面の平坦性低下を阻止する。合わせてサセプタ上のウエーハの移動を阻止する。【解決手段】垂直軸回りに回転する水平な円盤状であり、その円盤上面の回転中心回りに、ウエーハ8を収容する複数の凹部7が設けられたサセプタ3を、高周波誘導加熱又は抵抗加熱により昇温させる。これにより、複数の凹部7内に収容された各ウエーハ8を同時に間接加熱して、各ウエーハ8の上面にエピタキシャル膜を形成する。各凹部7の内底面中心部にのみ、裏面側へ貫通する貫通孔9を設ける。貫通孔9の孔径を2mm以下に制限する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

垂直軸回りに回転する水平な円盤状であり、その円盤上面の回転中心回りに、ウエーハを収容する複数の凹部が設けられ、各凹部の内底面中心部にのみ裏面側へ貫通する貫通孔が設けられたサセプタを、横型の反応管内に配置し、該サセプタを高周波誘導加熱又は抵抗加熱により昇温させることにより、複数の凹部内に収容された各ウエーハを同時に間接加熱して、各ウエーハの上面にエピタキシャル膜を形成することを特徴とするエピタキシャルウエーハ製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  C30B25/12

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  C30B25/12

Fターム (32件)：

4G077AA03 ,  4G077DB01 ,  4G077EG03 ,  4G077TF02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030JA01 ,  4K030KA02 ,  4K030KA24 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045DP20 ,  5F045EB15 ,  5F045EK03 ,  5F045EK05 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-162482   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体の気相成長装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-224554   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社
• 半導体の気相成長方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-054030   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社