特許
J-GLOBAL ID：200903017611976521
レーザアニーリング装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335711
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141300
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】 レーザ熱処理方法において高性能の薄膜トランジスタを製造するのに必要な結晶性に優れた薄膜を形成するためのレーザ光照射するレーザアニーリング装置を提供する。【解決手段】 ケイ素膜上に長方形のビームを照射するレーザ光学系において、複数のレーザ発振器から放射された複数のレーザビームを、それぞれ、基板上に形成された非晶質または多結晶のケイ素膜上で線状のビーム形状を形成する線状ビーム成形手段を備えたレーザ光学系において、レーザ発振器から線状ビーム成形手段までのレーザビームの光軸がほぼ同一平面上にあり、かつ、基板上に形成された非晶質または多結晶のケイ素膜上で線状ビームが任意の間隔を持ってほぼ直線状に配置するように構成する。照射レーザビーム間に間隔を設けることにより、複数の線状ビーム成形手段などのレーザ光学系も距離を持って配置でき、光学部品の干渉を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
レーザ発振器と、該レーザ発振器から放射されたレーザビームを非晶質若しくは多結晶の半導体膜上に照射し且つこの照射レーザビームを線状に形成するレーザ光学系と、を備え、線状照射レーザビームにより半導体膜を結晶化させるレーザアニーリング装置であって、該装置には複数のレーザ光学系が配置されて、各レーザ光学系から半導体膜上に照射された各線状照射レーザビームが半導体膜表面上に任意の間隔をもってその長さ方向にほぼ直線状に配列されることを特徴とするレーザアニーリング装置。
IPC (4件)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/268 J
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
5F052AA02
, 5F052BA07
, 5F052BA14
, 5F052BB02
, 5F052BB07
, 5F052CA10
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052DB02
, 5F052JA01
, 5F110DD13
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG44
, 5F110PP04
, 5F110PP07
