特許

J-GLOBAL ID：200903082429964093

薄膜形成方法および薄膜形成装置

発明者： 吉岡 達男 ,  前川 茂樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348378
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186163
出願日： 1997年12月18日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】 300mm以上の幅のガラス基板上に堆積された非晶質シリコン薄膜を迅速にアニールして多結晶化できる薄膜形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 高出力のエキシマレーザ光を2つに分けて、必要なエネルギーに制御したのちレーザー光の形状を線状に成形して2つの横並びのレーザー光107a,107bを作り、これを非晶質シリコンに照射して多結晶化する。

請求項（抜粋）：

基板上に堆積した非晶質シリコン薄膜を多結晶化するに際し、レーザー光を分離し、分離されたレーザー光をそれぞれ線状に成形加工し、この加工されたレーザー光を横並びにして前記基板上の非晶質シリコン薄膜に照射して多結晶化する薄膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

• レーザアニール装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-059585   出願人：株式会社ジーティシー
• レーザー光照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-076813   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-008360   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-364031
  
• 特開昭58-056411