特許

J-GLOBAL ID：200903013849795473

レーザ熱処理方法、レーザ熱処理装置および半導体デバイス

発明者： 小川 哲也 ,  時岡 秀忠 ,  佐藤 行雄 ,  井上 満夫 ,  笹川 智広 ,  宮坂 光敏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063107
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260731
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】 優れた結晶性の多結晶薄膜を形成する。【解決手段】 線状ビームプロファイルに成形したパルス発振のNd:YAGレーザ第2高調波を非晶質または多結晶珪素膜に照射し、レーザ熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

波長が350nm以上800nm以下であるパルスレーザ光源により発生されるレーザビームを線状ビームに成形して、基板あるいは絶縁膜に覆われた基板上に形成された、基板上膜材料に照射することを特徴とするレーザ熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 21/268 G ,  H01L 21/268 F ,  H01L 21/20

Fターム (9件)：

5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA10 ,  5F052DB02 ,  5F052JA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-056481   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-040523   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶薄膜の形成方法及び薄膜半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-325177   出願人：松下電器産業株式会社
• 薄膜製造方法およびその製造装置ならびに薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-211149   出願人：株式会社東芝