特許
J-GLOBAL ID：200903017626609690

金属材料層の製造方法及び電子デバイスの製造方法

発明者：
石橋 隆幸

石橋 隆幸 について

, 
川田 哲也

川田 哲也 について


出願人/特許権者：
国立大学法人東京農工大学

国立大学法人東京農工大学 について


代理人 (1件)： 立石 琢也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-275177
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088205
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】 損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の一つの側面は、基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングすることによってレジストパターンを形成する工程と、前記基板上及び前記レジストパターン上に有機金属溶液を配置する工程と、前記有機金属溶液の溶媒を除去する溶媒除去工程と、前記溶媒除去工程の後に前記レジストパターンを除去するリフトオフ工程とを有する金属材料層の製造方法にある。本構成によれば、損傷が起きる可能性が小さく、容易な金属材料層等の製造方法が得られる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上にレジスト層を形成する工程と、 前記レジスト層をパターニングすることによってレジストパターンを形成する工程と、 前記基板上及び前記レジストパターン上に有機金属溶液を配置する工程と、 前記有機金属溶液の溶媒を除去する溶媒除去工程と、 前記溶媒除去工程の後に前記レジストパターンを除去するリフトオフ工程と を有する金属材料層の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 39/24 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320
FI (3件)：
H01L39/24 F ,  H01L21/28 E ,  H01L21/88 G
Fターム (18件)：
4M104BB36 ,  4M104DD68 ,  4M104GG20 ,  4M113AD36 ,  4M113AD40 ,  4M113BA21 ,  4M113BA29 ,  4M113BA30 ,  4M113BC02 ,  4M113CA35 ,  4M113CA43 ,  5F033HH38 ,  5F033HH40 ,  5F033QQ41 ,  5F033RR03 ,  5F033SS22 ,  5F033XX00 ,  5F033XX33
引用特許：
審査官引用 (6件)
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