特許
J-GLOBAL ID：200903017657544324
窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-135354
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332288
出願日： 1999年05月17日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】動作電圧が均一で発光効率の高い窒化ガリウム系半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】n-InGaNコンタクト層3はバッファ層2を介してサファイア基板1上に形成され、上面にn-側電極9を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された第一のn型半導体層と、前記第一のn型半導体層上に形成された第二のn型半導体層と、前記第二のn型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたp型半導体層と、前記第一のn型半導体層上に形成された電極と、を具備し、前記第一のn型半導体層はインジウムを含み、且つ前記第二のn型半導体層より電子キャリア濃度及び層厚が大きいことを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA05
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
