窒化物半導体デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-290218
公開番号（公開出願番号）：特開平10-126006
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】インジウムを含む窒化物半導体を包含する活性層を有する窒化物半導体素子であって、発光効率が高い窒化物半導体デバイスを提供する。【解決手段】活性層(16)の少なくとも片面に、活性層(16)のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第1の窒化物半導体層(101)を活性層(16)に接して形成し、さらに、その上に第1の窒化物半導体層(101)のバンドギャップエネルギーよりも小さなバンドギャップエネルギーを有する第2の窒化物半導体層(102)と、第2の窒化物半導体層(102)のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第3の窒化物半導体層(103)を形成する。

請求項（抜粋）：

第1および第2の表面を有し、インジウムを含有する窒化物半導体を包含する量子井戸構造の活性層、並びに該活性層の第1の表面に接して形成され、該活性層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第1の窒化物半導体層と、該活性層の第1の表面側において、該第1の窒化物半導体層よりも該活性層から離れた位置に形成され、該第1の窒化物半導体層のバンドギャップエネルギーよりも小さなバンドギャップエネルギーを有する第2の窒化物半導体層と、該活性層の第1の表面側において、該第2の窒化物半導体層よりも該活性層から離れた位置に形成され、該第2の窒化物半導体層のバンドギャップエネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有する第3の窒化物半導体層とを含む窒化物半導体層構造を備えたことを特徴とする窒化物半導体デバイス。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-164732 出願人：古河電気工業株式会社
特開昭61-156788
特開昭61-156788

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