特許
J-GLOBAL ID：200903017687658170

金属シリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者：
小田 国博

小田 国博 について

, 
宮下 博仁

宮下 博仁 について


出願人/特許権者：
株式会社日鉱マテリアルズ

株式会社日鉱マテリアルズ について


代理人 (1件)： 小越 勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-365653
公開番号（公開出願番号）：特開2003-167324
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 位相シフトマスク成膜時に有効な光学的・化学的特性が得られ、且つパーティクルの発生を極めて少なく抑えることのできる金属シリサイドスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】 金属(M)含有量が3〜25at%であり、かつターゲット中の組織がMSi2と遊離Siとの2相からなることを特徴とする金属シリサイドスパッタリングターゲット。
請求項（抜粋）：
金属(M)含有量が3〜25at%であり、かつターゲット中の組織がMSi2と遊離Siとの2相からなることを特徴とする金属シリサイドスパッタリングターゲット。
IPC (5件)：
G03F 1/08 ,  C22C 29/18 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/285
FI (6件)：
G03F 1/08 G ,  G03F 1/08 B ,  C22C 29/18 Z ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (17件)：
2H095BB03 ,  2H095BC05 ,  2H095BC24 ,  4K029BA52 ,  4K029BD01 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (5件)
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