特許
J-GLOBAL ID：200903074080451953
スパッタリングタ-ゲット
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075142
公開番号（公開出願番号）：特開2000-080468
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】位相シフトフォトマスクブランクの作製時に使用し、光学特性や洗浄液耐性等の優れた薄膜を得るスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。【解決手段】予め熱処理等を施しシリサイド化させたZrとSiの化合物粉を所定量粉砕し微粒子化したものにZr若しくはSiを適量添加するか、ZrとSiをシリサイド化させる工程なしにZrとSi粉末をプレス成形することによって望みの組成比(30%<Zr/(Zr+Si)<50%)のスパッタリングターゲットを得る。
請求項（抜粋）：
フォトマスクを作製するためのフォトマスクブランクをスパッタリング法で形成する際に使用するスパッタリングターゲットにおいて、前記スパッタリングターゲットはZr(ジルコニウム)とSi(シリコン)のA:Bの組成比を持つ化合物若しくは混合物からなるターゲットであり、希ガスによるスパッタリング時のZrとSiのスパッタリング率をa、bとするとき、Aa/Bbが1/2よりも大きいことを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, G03F 1/08
, H01L 21/027
C23C 14/34 A
, G03F 1/08 A
, H01L 21/30 528
