ダイナミックランダムアクセスメモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-271918
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124587
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】【構成】セルフリフレッシュモードを有する改善されたダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)が開示される。セルフリフレッシュ期間Tsが開始された後、最初の期間Tc1および最後の期間Tc2において、短周期Pcを有するリフレッシュクロック信号/REFSを用いた集中リフレッシュがメモリセルアレイ内のすべての行について行なわれる。残された期間において、長周期Psを有する信号/REFSを用いた通常のセルフリフレッシュ動作が行なわれる。【効果】メモリセルアレイ内の各行のリフレッシュ間隔が予め定められた時間長さPsを大幅に越えるのが防がれるので、ストアされたデータが有効に維持され得る。

請求項（抜粋）：

行および列に配設された複数のメモリセルを備えたメモリセルアレイと、外部のリフレッシュ要求が予め定められた時間長さを越えて与えられなかったことを検出する検出手段と、前記検出手段に応答して、予め定められた短時間において前記メモリセルアレイをリフレッシュする短時間リフレッシュ手段と、前記予め定められた短時間の経過の後、前記予め定められた短時間よりも長い予め定められた長時間で前記メモリセルアレイをリフレッシュする長時間リフレッシュ手段とを含む、ダイナミックランダムアクセスメモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-160637 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-182384 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社

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