特許
J-GLOBAL ID：200903017695074200

酸化セリウム粒子及び多段階焼成による製造方法

発明者：
太田 勇夫

太田 勇夫 について

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谷本 健二

谷本 健二 について

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高熊 紀之

高熊 紀之 について


出願人/特許権者：
日産化学工業株式会社

日産化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-357661
公開番号（公開出願番号）：特開2004-168638
出願日： 2003年10月17日
公開日（公表日）： 2004年06月17日
要約：
【課題】 セリウム化合物の焼成方法及びそれによって得られる酸化セリウム粒子に関する。酸化セリウム粉末から製造されたスラリーは、シリカを主成分とする基板、例えば水晶、フォトマスク用石英ガラス、半導体デバイスの有機膜、低誘電率膜、層間絶縁膜の研磨、トレンチ分離、ガラス製ハードディスク等の最終仕上げ用研磨剤として有用である。【解決手段】 セリウム化合物を常温から昇温して400〜1200°Cの温度範囲まで加熱を行い酸化セリウム粒子を製造する方法であり、少なくとも2〜60°C/時間の昇温速度からなる昇温段階を経る酸化セリウム粒子の製造方法。2〜60°C/時間の昇温速度からなる段階が、常温から昇温して200〜350°Cの温度範囲に達するまで続けられる第1段階目の昇温である製造方法。第1段階目の昇温の後、2〜200°C/時間の第2段階目の昇温を行い、400〜1200°Cの範囲まで加熱する製造方法である。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
セリウム化合物を常温から昇温して400〜1200°Cの温度範囲まで加熱を行い酸化セリウム粒子を製造する方法であり、少なくとも2〜60°C/時間の昇温速度からなる昇温段階を経る酸化セリウム粒子の製造方法。
IPC (4件)：
C01F17/00 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304
FI (5件)：
C01F17/00 A ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z ,  H01L21/304 622B
Fターム (15件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA06 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17 ,  4G076AA02 ,  4G076AB09 ,  4G076BA39 ,  4G076BD02 ,  4G076CA04 ,  4G076CA26 ,  4G076CA28 ,  4G076DA30
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (8件)
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