半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-341556
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161940
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】デバイス内の単結晶Si,多結晶Si等のシリコン層に対する選択的なシリサイド形成を、従来に比べて少ない工程数で、かつ微細化に対応可能に良好に行なうことが可能である。【構成】シリコン層に対して自己整合的にシリサイドを形成するに先立って、シリコン層に対して、シリサイドが形成される領域11とシリサイドが形成されるべきでない領域12,13とを選択するための選択酸化膜108を形成する。しかる後、高融点金属を全面に形成してシリサイド化反応を行なわせ、シリサイド化反応を行なった後に選択エッチングを行なうようにしている。これにより、デバイス内の単結晶Si,多結晶Si等のシリコン層に対してシリサイド120を選択的に形成できる。

請求項（抜粋）：

シリコン層に対して自己整合的にシリサイドを形成するに先立って、前記シリコン層に対して、シリサイドが形成される領域とシリサイドが形成されるべきでない領域とを選択するための選択手段を形成し、しかる後、高融点金属を全面に形成してシリサイド化反応を行なわせ、シリサイド化反応を行なった後に選択エッチングを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 27/04 R , H01L 27/04 P , H01L 29/46 T

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-051990 出願人：富士通株式会社
特開平2-128465
特開平4-094567

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