特許
J-GLOBAL ID：200903017735923825
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-107575
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297407
出願日： 1994年04月22日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタ(TFT)を用いてアクティブマトリクス回路およびその駆動回路を構成し、特性および信頼性に優れたモノリシック型アクティブマトリクス装置を得る。【構成】 TFTとして、ゲイト電極とソース/ドレイン領域の位置関係がオフセット状態であるオフセットゲイトTFTや、気相成長法によって形成された絶縁膜をゲイト絶縁膜として用いるTFTを用いるモノリシック型アクティブマトリクス回路において、アクティブマトリクス回路およびその駆動回路をも全てPチャネル型のTFTを用いて構成する。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に、薄膜トランジスタによって構成されたアクティブマトリクス回路とその駆動回路を有する半導体集積回路において、前記アクティブマトリクス回路とその駆動回路を構成する薄膜トランジスタはPチャネル型であり、かつ、少なくともアクティブマトリクス回路を構成する薄膜トランジスタはオフセットゲイト型であることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/1345
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 311 A
