特許
J-GLOBAL ID:200903017753392080
プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
福森 久夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-268785
公開番号(公開出願番号):特開2000-100790
出願日: 1998年09月22日
公開日(公表日): 2000年04月07日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、プラズマの粒子と金属表面との電荷交換反応を利用して、負イオンを連続的にかつ高密度に生成し、当該負イオンを被処理体に入射させることによって、被処理体に対してアッシングエッチングやクリーニング等の不要物の除去を行うことが可能であり、その結果、高い処理速度や少ないチャージアップダメージを実現できる、プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 本発明に係るプラズマ処理装置は、真空容器と、前記真空容器内に被処理体を支持する為の支持手段とを有するプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間にガスを導入する手段と、前記ガスに電気エネルギーを供給し、前記プラズマ発生空間内にプラズマを発生させる手段と、前記プラズマの粒子と接触するように設けられた負イオンを生成させる為の金属部材と、前記負イオンを引き出して前記被処理体に供給する手段と、を具備することを特徴とする。
請求項(抜粋):
真空容器と、前記真空容器内に被処理体を支持する為の支持手段とを有するプラズマ処理装置において、プラズマ発生空間にガスを導入する手段と、前記ガスに電気エネルギーを供給し、前記プラズマ発生空間内にプラズマを発生させる手段と、前記プラズマの粒子と接触するように設けられた負イオンを生成させる為の金属部材と、前記負イオンを引き出して前記被処理体に供給する手段と、を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
FI (3件):
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 A
, H05H 1/46 A
Fターム (70件):
4K057DA02
, 4K057DA20
, 4K057DB01
, 4K057DB06
, 4K057DB17
, 4K057DB20
, 4K057DD01
, 4K057DD03
, 4K057DD04
, 4K057DD05
, 4K057DD08
, 4K057DE01
, 4K057DE02
, 4K057DE04
, 4K057DE06
, 4K057DE07
, 4K057DE08
, 4K057DE09
, 4K057DE11
, 4K057DE20
, 4K057DG17
, 4K057DG20
, 4K057DM02
, 4K057DM03
, 4K057DM28
, 4K057DM29
, 4K057DM40
, 4K057DN01
, 4K057DN03
, 4K057DN10
, 5F004AA06
, 5F004AA16
, 5F004BA03
, 5F004BA04
, 5F004BA13
, 5F004BA14
, 5F004BA16
, 5F004BB11
, 5F004BB14
, 5F004BB18
, 5F004BB28
, 5F004BC08
, 5F004BD01
, 5F004BD07
, 5F004CA03
, 5F004CA09
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA02
, 5F004DA03
, 5F004DA04
, 5F004DA05
, 5F004DA06
, 5F004DA08
, 5F004DA10
, 5F004DA11
, 5F004DA17
, 5F004DA26
, 5F004DA27
, 5F004DB01
, 5F004DB02
, 5F004DB03
, 5F004DB07
, 5F004DB08
, 5F004DB12
, 5F004DB15
, 5F004DB26
, 5F004DB27
, 5F004EB01
, 5F004EB02
引用特許:
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