特許
J-GLOBAL ID:200903017756340889

中性子吸収材及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-369012
公開番号(公開出願番号):特開2006-177697
出願日: 2004年12月21日
公開日(公表日): 2006年07月06日
要約:
【課題】 十分な中性子吸収能を持ち、しかも、大型品や複雑形状であっても容易にかつ低コストで製造可能な中性子吸収材及びその製造方法を提供する。【解決手段】 金属製の基材の表面に、アルミニウムやニッケルなどの金属粉末と炭化ホウ素などのホウ素化合物粉末とを溶射またはコールドスプレー法によりコーティングし、該基材の表面に対し実質的に全面にわたって密着した金属-ホウ素複合層を設けたことを特徴とする中性子吸収材。金属粉末とホウ素化合物粉末とを同時に溶射またはコールドスプレーしてもよく、それらの混合粉末または複合粉末を用いてもよい。【選択図】なし
請求項(抜粋):
金属製の基材と、該基材の表面に構成された金属-ホウ素複合層とからなる中性子吸収材であって、金属-ホウ素複合層と基材とが実質的に全面にわたって密着されていることを特徴とする、中性子吸収材。
IPC (3件):
G21F 1/08 ,  C23C 4/06 ,  C23C 4/10
FI (3件):
G21F1/08 ,  C23C4/06 ,  C23C4/10
Fターム (5件):
4K031CB21 ,  4K031CB22 ,  4K031CB35 ,  4K031CB37 ,  4K031CB44
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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