特許
J-GLOBAL ID：200903011612077336
窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-085198
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274521
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 窒化物半導体発光素子において、高温・高出力動作での素子寿命を飛躍的に改善し、さらに長時間の素子寿命を実現すること。【解決手段】 井戸層と障壁層とが積層されてなる量子井戸構造の活性層110を有する窒化物半導体発光素子であって、前記活性層は、互いに転位密度が異なる高転位密度領域116と低転位密度領域104とを有し、前記低転位密度領域は、前記高転位密度領域より転位密度が低いと共に少なくとも一部に電流注入領域が形成され、前記活性層の不純物濃度が1018cm-3未満である。
請求項（抜粋）：
井戸層と障壁層とが積層されてなる量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体発光素子であって、前記活性層は、互いに転位密度が異なる高転位密度領域と低転位密度領域とを有し、前記低転位密度領域は、前記高転位密度領域より転位密度が低いと共に少なくとも一部に電流注入領域が形成され、前記活性層の不純物濃度が1018cm-3未満であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F073AA51
, 5F073AA65
, 5F073AA71
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA07
, 5F073DA35
, 5F073EA28
