特許

J-GLOBAL ID：200903017787302799

薄膜トランジスタ及びそれを備える平板表示装置

発明者： 河 載 興 ,  宋 英 宇 ,  李 鍾 ▲赤▼ ,  金 容 鐸
出願人/特許権者： 三星モバイルディスプレイ株式會社
代理人 (3件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和 ,  原 裕子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-048292
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212520
出願日： 2009年03月02日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

【課題】薄膜トランジスタ及びそれを利用した平板表示装置を提供する。【解決手段】非晶質の12CaO・7Al2O3(C12A7)を含むチャンネル層を備えた薄膜トランジスタ及びそれを備えた平板表示装置である。これにより、C12A7を利用して低い温度で非晶質のチャンネル層を形成できる。該非晶質のチャンネル層を備えた薄膜トランジスタは、優れた電気移動度を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極と絶縁されたソース及びドレイン電極と、 前記ゲート電極と絶縁され、前記ソース及びドレイン電極と電気的に連結されたチャンネル層と、 前記チャンネル層と前記ゲート電極との間に介在された絶縁層とを備え、 前記チャンネル層は、非晶質の12CaO・7Al2O3(C12A7)を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  G02F1/1368

Fターム (44件)：

2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB56 ,  2H092KA07 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F110AA17 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110NN03 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-258272   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置、半導体装置の製造方法および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-065896   出願人：セイコーエプソン株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Field-Induced Current Modulation in Nanoporous Semiconductor, Electron-Doped 12CaO・7Al2O3