特許
J-GLOBAL ID：200903017797873549

透明導電膜の製造方法および化合物半導体発光素子の製造方法

発明者：
中村 孝夫

中村 孝夫 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107586
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299028
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 透過率が向上し、かつ製造コストが低減することができるように改良された、透明導電膜の製造方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 真空槽内に基板を置く。真空槽の中心に、透明導電膜の材料となるターゲットを置く。真空槽内に酸素を導入する。ターゲットにレーザ光を照射し、アブレーションによって放出された原子・分子イオンを基板の上に堆積させ、酸化させながら、結晶成長させる。
請求項（抜粋）：
真空槽内に基板を置く工程と、前記真空槽の中心に、透明導電膜の材料となるターゲットを置く工程と、前記真空槽内に酸素を導入する工程と、前記ターゲットにレーザ光を照射し、アブレーションによって放出された原子または分子イオンを前記基板の上に堆積させ、酸化させながら結晶成長させる工程と、を備えた透明導電膜の製造方法。
IPC (6件)：
H01B 13/00 503 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/34 ,  H01L 33/00 ,  H01B 5/14
FI (7件)：
H01B 13/00 503 B ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/34 A ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 D ,  H01B 5/14 A
Fターム (20件)：
4K029AA04 ,  4K029AA09 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  5F041CA43 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA98 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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