半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-168779
公開番号（公開出願番号）：特開平6-012869
出願日： 1992年06月26日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：

【要約】【目的】コラムデコード信号の選択動作によるアドレスアクセスタイムの遅延をなくし、デバイスを高速化する。【構成】センスアンプSA1〜SA4に、ビット線対BL1〜BL4、および同/BL1〜/BL4がそれぞれ接続されている。そのビット線対BL1〜BL4,/BL1〜/BL4は、コラムデコード信号Y1〜Y4がゲートに接続されたNチャネル型MOSトランジスタQ111〜Q118と、制御信号DS1がゲートに接続されたNチャネル型MOSトランジスタQ121〜Q128とを介してデータ線DL1,/DL1に接続されている。

請求項（抜粋）：

センスアンプと、前記センスアンプを介して接続されたビット線対と、2組のデータ線対と、前記2組のデータ線対のうち第1組目のデータ線対と前記ビット線対を電気的に接続する第1のMOSトランジスタ対と、前記2組のデータ線対のうち第2組目のデータ線対と前記ビット線対を電気的に接続する第2のMOSトランジスタ対とを有することを特徴とする半導体メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭59-116988
特開平1-128292
特開昭59-154688

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