特許
J-GLOBAL ID：200903017861933305
排熱回収装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 祥泰
, 岩倉 民芳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-211819
公開番号（公開出願番号）：特開2006-034046
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】熱電素子を利用した排熱回収装置において、熱電変換効率に優れた熱電素子を用いた優れた特性の排熱回収装置を提供すること。【解決手段】排熱回収装置1は、p型半導体素子ブロックとn型半導体素子ブロックとを電気的に接続した熱電素子を含む熱電モジュール4を有する。p型半導体素子ブロックは、熱伝導率κ1、電気伝導率σ1である第1の熱電材料と、熱伝導率κa及び電気伝導率σaが(κa<κ1)、かつ、(κa/κ1)<(σa/σ1)を満たす第1の添加材料とを一体的に焼結してなる。また、n型半導体素子ブロックは、熱伝導率κ2、電気伝導率σ2である第2の熱電材料と、熱伝導率κb及び電気伝導率σbが(κb<κ2)、かつ、(κb/κ2)<(σb/σ2)を満たす第2の添加材料とを一体的に焼結してなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
内燃機関の排気ガスを通す排気経路に熱電モジュールを設けた排熱回収装置であって、
上記排気ガスを流通させる排気管部と、
p型半導体素子ブロックとn型半導体素子ブロックとを電気的に接続した熱電素子を含み、上記各半導体素子ブロックの高温側端部を上記排気管部内の上記排気ガスと熱的に接続した熱電モジュールと、
該熱電モジュールにおける上記各半導体素子ブロックの低温側端部と熱的に接続された低温側熱交換部とを有してなり、
上記p型半導体素子ブロックは、熱伝導率κ1、電気伝導率σ1である第1の熱電材料と、熱伝導率κa及び電気伝導率σaが(κa<κ1)、かつ、(κa/κ1)<(σa/σ1)を満たす第1の添加材料とを一体的に焼結してなり、
上記n型半導体素子ブロックは、熱伝導率κ2、電気伝導率σ2である第2の熱電材料と、熱伝導率κb及び電気伝導率σbが(κb<κ2)、かつ、(κb/κ2)<(σb/σ2)を満たす第2の添加材料とを一体的に焼結してなることを特徴とする排熱回収装置。
IPC (5件)：
H02N 11/00
, F01N 5/02
, H01L 35/16
, H01L 35/30
, H01L 35/34
H02N11/00 A
, F01N5/02 J
, H01L35/16
, H01L35/30
, H01L35/34
出願人引用 (1件)
-
自動車用排熱発電装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-106880
出願人：日産自動車株式会社
審査官引用 (2件)
引用文献：
前のページに戻る
