特許
J-GLOBAL ID：200903017867476771

半導体装置の製造方法

発明者：
青木 秀充

青木 秀充 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-282863
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114368
出願日： 1998年10月05日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】層間接続孔や埋め込み配線形成用の溝の内部に付着した銅系金属汚染物を充分に除去し、これにより、多層配線構造における電流リークや素子の動作不良の問題を解決すること。【解決手段】多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、層間接続孔を設けた後、銅系金属汚染物に対し錯体形成能力を有する錯化剤を含有する洗浄液を用いて層間接続孔内部を洗浄する。
請求項（抜粋）：
(A)半導体基板上に銅または銅合金を含む金属材料からなる金属配線を形成する工程と、(B)該金属配線の上に層間絶縁膜を形成する工程と、(C)該層間絶縁膜の所定箇所に、前記金属配線に達する接続孔をドライエッチングにより形成する工程と、(D)前記ドライエッチングを行うことにより前記接続孔の内壁に付着した前記金属材料および/または前記金属材料の化合物からなる汚染物を、該汚染物に対し錯体形成能力を有する錯化剤を含有する洗浄液を用いて除去する工程と、(E)前記接続孔の内壁にバリアメタル膜を形成した後、その上に該接続孔を埋め込むように全面に導電膜を形成する工程と、(F)前記接続孔の外部に形成された前記導電膜及び前記バリアメタル膜を、エッチングまたは化学的機械的研磨により除去して表面を平坦化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205
FI (4件)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 M
Fターム (51件)：
4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD19 ,  4M104DD20 ,  4M104DD22 ,  4M104EE15 ,  4M104EE18 ,  4M104FF16 ,  5F004AA09 ,  5F004AA11 ,  5F004DA00 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB08 ,  5F004EA10 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033KK33 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR05 ,  5F033RR09 ,  5F033RR25 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX21
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 多層配線構造及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-341259   出願人：日本電気株式会社, ルーセントテクノロジーズインク
  • 洗浄処理剤
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152834   出願人：和光純薬工業株式会社

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