多層配線構造及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：後藤洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-341259
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261715
出願日： 1997年12月11日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】銅によって構成された多層配線において、銅層間の接触抵抗を低減し、配線遅延を少なくすることである。【解決手段】本発明の多層配線の構造では、第一層目の配線(銅)と第二層目の配線(銅)がビアプラグ(銅)を介して電気的に接続され、ビアプラグと配線の接続が同種金属同士の接続となっていて、従来よりも接触抵抗が低くできるものである。また、本発明の多層配線の製造方法は、バリアメタル9をビアホール8側面に残し、第一層目の配線(銅)4の表面を露出したのち、ビアホール埋め込みの前処理として、酸素プラズマ処理、希釈弗酸処理、ヘキサフルオロアセチルアセトン・ガス処理を順次行って、接続界面の酸素を除去して、接触抵抗の低減を実現する。

請求項（抜粋）：

第一層目の銅または銅を主成分とする配線と、該第一層目の配線と電気的に接続する銅または銅を主成分とするビアプラグを第二層目の配線として含む多層配線構造において、前記第一層目の配線と前記ビアプラグとの間の接続界面は、銅または銅を主成分とする金属同士の接合によって形成されていることを特徴とする多層配線構造。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-010852 出願人：日本電信電話株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-188136 出願人：日本電信電話株式会社
特開平4-067655

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